요약
중국 메모리 선두업체 CXMT(창신메모리)의 차오칸위 총재는 주말 상하이에서 열린 업계 콘퍼런스에서 4F² 설계를 적용한 데이터센터 서버용 신규 D램을 연내 출시하겠다고 밝혔습니다. 이는 삼성전자와 SK하이닉스가 수년간 추진해 온 기술로, 업계 표준인 6F²를 4F²로 줄이면 같은 셀을 더 작은 면적에 집적해 효율을 높일 수 있습니다. CXMT는 트랜지스터를 적층하는 수직 게이트(Vertical Surrounding Gate) 방식으로 배치 구조를 바꿔, 대형 경쟁사들이 미세화 과정에서 겪어온 누설 전류 문제를 줄였다고 설명했습니다. 미국 제재로 ASML의 최첨단 장비를 사용할 수 없는 상황에서 이를 달성했다면 화웨이나 딥시크처럼 중국 기업들이 제재를 우회하는 혁신의 최신 사례가 될 것입니다. 다만 구체적인 근거는 제시되지 않았으며, 모닝스타의 애널리스트는 성공 시 CXMT의 경쟁력이 크게 높아지겠지만 업계 전반이 이 전환의 어려움을 지적해 온 만큼 상업적 수율 확보까지는 상당한 시간이 걸릴 것으로 내다봤습니다.
이 발언은 글로벌 반도체주 매도를 촉발해, 전날 마이크론이 4% 하락한 데 이어 화요일 삼성전자와 SK하이닉스 주가가 7% 이상 급락하며 코스피 전체를 끌어내렸습니다. 유니온 방케르 프리베의 베이선 링 전무는 투자자들이 불안한 상태에서 올해 강세를 보인 AI 관련주, 특히 메모리주의 차익 실현 명분을 찾고 있다고 분석했습니다. CXMT는 올여름 대형 IPO 이후 한때 중국 시가총액 1위 기업에 오르기도 했으며, AI 수요 급증에 대응해 첨단 메모리 생산을 빠르게 확대하고 있습니다. HBM 분야에서는 여전히 뒤처져 있지만, 카운터포인트 리서치에 따르면 D램 시장 점유율은 1년 전 4%에서 올해 2분기 10%로 확대되는 등 꾸준한 진전을 보이고 있습니다.