서버와 AI에 사용되는 고부가가치 메모리 수요가 커지면서, SK하이닉스가 보다 진보된 D램으로의 전환에 속도를 내고 있습니다. 조선비즈에 따르면 SK하이닉스는 차세대 HBM4E의 핵심 메모리 다이가 될 6세대 10나노급(1c) D램의 생산을 빠르게 확대하고 있습니다. 이번 전환은 SK하이닉스가 2027년 HBM4E 양산을 준비하는 가운데 이루어지는 것입니다. 연합뉴스에 따르면 동사는 지난 7월 개발이 진전됨에 따라 이미 고객사에 HBM4E 샘플을 제공했다고 밝힌 바 있습니다.
조선비즈가 인용한 소식통에 따르면 1c D램은 SK하이닉스 생산에서 2026년 1분기 약 10퍼센트, 2분기 13퍼센트를 차지했으며, 이는 삼성의 약 16퍼센트, 마이크론의 19퍼센트와 비교되는 수준입니다. SK하이닉스의 비중은 2026년 3분기 약 24퍼센트, 4분기 34퍼센트로 올라 삼성의 약 31퍼센트를 넘어선 뒤, 2027년 1분기에는 35퍼센트에 이를 것으로 전망됩니다. 이 시점에 1c는 약 33퍼센트인 1b를 처음으로 추월하며 SK하이닉스의 주력 D램 공정이 될 것으로 예상됩니다.
SK하이닉스는 2026년 2분기 실적 발표 컨퍼런스콜에서도 해당 분기 중 1c D램 출하가 본격적으로 늘어나기 시작했다고 밝혔습니다. 하반기와 관련해서는 HBM4 물량이 증가하면서 비트 그로스가 더 강해질 것으로 기대하고 있습니다. 조선비즈는 1c 기반 범용 D램의 출하 역시 확대될 것으로 예상된다고 덧붙였습니다.
한편 삼성과 SK하이닉스는 HBM4에 대해 서로 다른 접근 방식을 취하고 있습니다. 조선비즈가 지적한 바에 따르면 삼성은 HBM4에 1c D램을 채택해 약 11.7Gbps 수준의 속도를 목표로 하고 있는 반면, SK하이닉스는 검증된 1b D램과 MR-MUF 패키징으로 양산 안정성을 우선시했습니다. SK하이닉스는 이러한 접근으로 HBM4 물량 우위를 유지하고 있고, 삼성은 더 높은 성능을 통해 점유율 확보를 노리고 있다고 이 보도는 덧붙였습니다.
1c 전환, 생산성과 원가 효율 개선으로 이어질 수 있어
SK하이닉스의 1c 전환 가속화는 공정 미세화를 넘어, 특히 원가와 생산성 측면에서 이점을 가져올 것으로 예상됩니다. 웨이퍼당 생산되는 비트 수가 늘어남에 따라 신공정은 원가 경쟁력을 개선하고 하반기 이후 D램 수익성을 뒷받침하는 데 도움이 될 수 있습니다. 다만 조선비즈가 인용한 업계 관계자는 양산 수율이 개선되고 고객사 인증 일정이 이에 발맞춰 진행되어야만 이번 전환이 의미를 가질 것이라고 지적했습니다.
경쟁은 1d D램으로까지 확대
더 멀리 보면 경쟁은 이미 7세대 10나노급(1d) D램으로 확대되고 있습니다. 더벨에 따르면 삼성은 9월에 1d 개발을 완료하고 12월부터 양산 준비에 착수하는 것을 목표로 하고 있는 것으로 알려졌습니다. 반면 SK하이닉스는 12월 개발 완료와 2027년 6월 양산 준비를 목표로 하고 있는 것으로 전해져, 삼성보다 6개월 뒤처져 있습니다. 이 보도는 삼성이 2027년 말경 초기 양산을 시작할 수 있는 반면, SK하이닉스는 일정이 늦어 생산 개시 시점이 더 밀릴 수 있다고 덧붙였습니다. 삼성은 2030년경 출시가 예상되는 HBM5E에 1d D램을 사용할 계획이며, SK하이닉스는 아직 1d 적용 계획을 공개하지 않았습니다.