Hot Chips 2026 컨퍼런스의 사전 프로그램(Advance Program)에서 삼성의 한상욱(Sangwook Han)은 삼성전자가 핀당 16Gbps 속도의 HBM4E 메모리 출하를 준비하고 있다고 확인했습니다. 이는 올해 5월 말부터 핀당 14Gbps 속도의 HBM4E를 출하해 온 삼성전자 반도체 사업부에 상당한 자신감을 더해주는 소식입니다. 본질적으로 삼성전자는 HBM의 성능 확장 과정이 순조롭게 진행되고 있음을 확인한 것이며, HBM4E는 삼성전자가 매우 높은 속도로 생산할 수 있는 고대역폭 메모리 기술의 또 하나의 이정표입니다. 삼성전자의 HBM4는 현재 11.7Gbps 속도로 출하되고 있어, HBM4E로의 도약은 더욱 인상적입니다.
현재 HBM4E 스택당 2,048개의 핀과 핀당 14Gbps 속도를 기준으로 삼성전자는 최대 3.6TB/s의 대역폭을 구현할 수 있습니다. 그러나 속도가 16Gbps로 높아지면 단일 HBM4E 스택의 최대 메모리 대역폭은 4TB/s로 증가합니다. AI 가속기나 GPU 하나에 약 12개의 메모리 스택이 탑재된다는 점을 고려하면 전체 메모리 대역폭은 상당한 수준입니다. 삼성전자는 현재 이 메모리를 12단(12-layer 또는 12-high) 구성으로 제공하고 있으며, 스택당 메모리 용량은 48GB입니다. 다만 향후 고객 요구사항에는 8단 32GB 및 16단 64GB 스택도 포함될 예정입니다.
기술 측면에서 삼성전자는 DRAM에 최적화된 6세대 10나노급 공정을 사용하며, 이렇게 제조된 DRAM을 여러 층으로 적층합니다. HBM4E 기술에는 삼성전자의 4nm SF4 노드에서 제조되는 커스텀 베이스 다이도 포함되며, 이는 다양한 패키지에서 보다 향상된 통합을 원하는 고객의 요구를 충족하기 위해 설계되었습니다.
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