• ASML과 TSMC는 SPIE BACUS 콘퍼런스를 앞둔 9월 7일, 12인치 포토마스크로의 전환을 추진하고 고개구수 극자외선(High NA EUV) 노광 기술의 가치를 극대화하기 위한 업계 공동 협력체계를 구축했습니다.
• 이번 협력은 2031년까지 12인치 마스크 시험생산 라인을 구축하고, 이를 통해 2033년까지 첨단 공정 생산에 필요한 노광 시스템 전반의 준비를 완료하는 것을 목표로 합니다.
• High NA EUV 도입 기업과 주요 공급업체들도 참여 의사를 밝혀, 이번 협력에 대한 업계의 폭넓은 지지를 보여주었습니다.
ASML 홀딩(유로넥스트: ASML, 나스닥: ASML)과 대만반도체제조기업 TSMC(대만증권거래소: 2330, 뉴욕증권거래소: TSM)는 반도체 업계의 대형 극자외선(EUV) 노광용 포토마스크 전환을 주도하기 위한 공동 협력 계획을 발표했습니다.
High NA EUV는 우선 현재 사용 중인 6인치 마스크를 활용해 생산에 도입될 예정입니다. 이후 더 큰 12인치 마스크로 전환하면 반도체 공장의 생산성을 더욱 높이고, 칩 제조 비용을 낮추며, 스티칭(분할 노광한 패턴을 이어 붙이는 방식)의 제약을 해소하여 반도체 산업 전반에 도움이 될 것으로 기대됩니다. 이를 통해 첨단 반도체 제조업체들은 High NA EUV의 장점을 충분히 활용하고, 차세대 최첨단 칩을 더욱 경제적으로 생산할 수 있게 됩니다.
ASML의 크리스토프 푸케 사장 겸 최고경영자(CEO)는 다음과 같이 말했습니다.
“반도체 소자 미세화 로드맵에 따라 High NA EUV 도입이 점진적으로 확대될 것으로 예상합니다. 초기에는 현재의 6인치 마스크를 사용하고, 이후에는 12인치 마스크가 도입 확대를 뒷받침할 것입니다. 12인치 마스크는 노광 장비의 생산성을 높이고, 업계가 더 작고 빠르며 에너지 효율이 높은 칩에 대한 수요를 충족할 수 있도록 해줄 것입니다. 이번 협력에 대해 반도체 제조업체와 마스크 공급업체, 협력사들이 초기부터 강력한 지지를 보내주고 있어 기쁘게 생각합니다.”
TSMC의 웨이저자(C. C. Wei) 회장 겸 최고경영자(CEO)는 다음과 같이 말했습니다.
“우리는 업계가 복잡한 문제를 해결하기 위해 협력할 때, 개별 기업이 혼자서는 달성할 수 없는 가능성을 열 수 있다고 늘 믿어왔습니다. 업계 가치사슬 전반의 전문성을 결집하고, 도입 장벽을 낮춰 첨단 솔루션을 대규모로 활용할 수 있도록 지속적으로 혁신함으로써 최첨단 기술의 혜택을 계속 제공하고자 합니다.”
TSMC는 2030년부터 첨단 공정의 대량생산에 ASML의 High NA 기술을 사용할 계획입니다. 공정 기술이 발전함에 따라 High NA EUV가 필요한 레이어 수가 증가할 것으로 예상하고 있으며, 이는 주로 AI 애플리케이션에 필요한 트랜지스터 구조가 갈수록 복잡해지는 데 따른 것입니다.
ASML과 TSMC는 미국 캘리포니아주 몬터레이에서 열리는 연례 SPIE BACUS 콘퍼런스를 앞둔 9월 7일, 12인치 포토마스크로의 전환을 추진하기 위한 업계 전반의 공동 협력체계를 구축했습니다. 이번 협력은 2031년까지 12인치 마스크 시험생산 라인을 마련하고, 이를 토대로 2033년까지 12인치 마스크를 사용하는 High NA 노광 시스템이 첨단 공정 생산에 투입될 수 있도록 하는 것을 목표로 합니다.
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