삼성전자의 HBM 출하량은 2026년부터 2028년까지 연평균 52% 성장해, 15.03억 GB에서 34.94억 GB까지 증가할 것으로 전망됩니다.
SK하이닉스($SKHY)는 같은 기간 연평균 37% 성장해 39.68억 GB에 이를 것으로 예상됩니다.
중국 CXMT(창신메모리)는 출발점 자체는 훨씬 작지만, 연평균 성장률(CAGR)이 207%에 달할 것으로 전망됩니다.
수요 측면에서는 중국 전체 DRAM 수요가 연평균 44% 성장할 것으로 예상됩니다. 특히 AI 서버 관련 수요는 130% 성장하고, HBM 수요 자체는 138% 증가할 것으로 전망됩니다.
반면 주요 메모리 업체들의 전체 DRAM 공급 증가율은 10%대 중후반 수준에 머물 것으로 예상됩니다.
결국 공격적인 HBM 출하량 확대 목표와 상대적으로 제한적인 전체 웨이퍼 생산 증가율 사이의 격차 때문에 실제 생산능력과 실행력이 더욱 중요해지고 있습니다.
특히 삼성전자가 HBM 물량을 연평균 52%씩 확대할 수 있을지는 수율(Yield) 개선과 신규 생산능력(Capacity)을 얼마나 빠르게 정상 가동 수준까지 끌어올릴 수 있느냐에 크게 좌우될 것입니다.
https://x.com/semiconductorsx/status/2091613385507160304?s=46
