[단독] 중국 CAS, EUV 없이 DUV 기반 3nm 이하 GAA 공정 경로 확보 - DIGITIMES

중국 과학원(CAS) 마이크로일렉트로닉스 연구소가 EUV 노광 장비 없이 기존 DUV 장비만을 활용해 3nm 이하 공정용 GAA 소자 초기 개발 경로를 구축했다.
연구진은 DUV 기반의 적층형 나노시트 GAA CMOS 공정 통합을 완료하고, 트랜지스터 On/Off 전류 비율을 5×10⁵ 이상으로 끌어올리는 기술 검증에 성공했다.

이번 성과는 미국의 장비 규제로 EUV 도입이 차단된 상황에서 중국 독자 기술로 차세대 소자 구조 개발 가능성을 입증한 첫 사례로 평가받는다.
주최 측 수석 엔지니어는 이번 성과가 기초 기술 검증 단계에 불과하며 박막 증착, 식각, 계측, 수율 확보 등 대규모 양산까지는 여전히 기술적 장벽이 크다고 강조했다.

중국 반도체 업계는 7nm 이하 해외 장비와 EDA 툴에 대한 의존도를 낮추기 위해 기존 성숙 공정 가치 극대화 및 독자적 대안 경로 확보에 집중하고 있다.