- 중국 최대 DRAM 제조사 CXMT가 HBM3 시험 생산에 돌입했으나 전체 수율이 약 25% 수준에 머물며 고성능 AI 메모리 양산의 높은 기술 장벽에 직면했다.
- CXMT 8단 HBM3의 전공정 수율은 약 30%, 후공정 패키징 통과 비율은 약 70%로 합산 수율 25%에 그쳐 90% 이상을 확보한 SK하이닉스와 큰 격차를 보였다.
- 기존 16~17nm급(G4) 범용 DRAM 공정 자체는 안정적이나, 다이 면적 증가와 엄격한 전기적 규격 요구 및 TSV 관통·충전 공정 결함이 핵심 병목으로 지적되었다.
- CXMT HBM3의 TSV 적용 수는 약 3,000개 수준으로 SK하이닉스의 8,000개 이상 대비 크게 적어 공정 난도는 낮췄으나 대역폭 확보에 한계를 드러냈다.
- CXMT는 HBM3 대량 양산 일정을 연기하고 Alibaba 산하 T-Head 및 Cambricon 등에 소량 샘플 공급과 수율 개선 작업을 병행하며 자체 공급망 구축을 추진하고 있다.
https://www.digitimes.com/news/a20260909VL232/cxmt-tsv-hbm3-dram-yield-rate.html?chid=10
