담낭(Damnang)과 인터뷰한 SK하이닉스 미래기술연구원 소속 공정 개발 엔지니어에 따르면, SK하이닉스는 자사 HBM 메모리용 하이브리드 본딩 기술 개발에서 어려움을 겪고 있는 것으로 알려졌습니다. 이러한 문제는 SK하이닉스가 아직 샘플 생산조차 시작하지 못했을 정도로 심각한 반면, 삼성은 이미 하이브리드 본딩으로 제조한 HBM 샘플을 고객사에 발송한 것으로 알려졌습니다. 이것이 사실이라면, 매출 기준 글로벌 시장 점유율 1위를 지켜온 SK하이닉스의 HBM에 있어 중대한 차질이 됩니다. 이는 HBM 공급사에 더 높은 용량, 더 나은 성능, 더 진보된 기술을 요구하는 고객사들 사이에서 시장 점유율 상실로 이어질 가능성이 있습니다.
잘 모르시는 분들을 위해 설명하자면, 하이브리드 본딩은 내장된 금속 범프를 서로 융합하여 단일 칩을 형성함으로써 두 실리콘 칩 사이에 영구적인 결합을 만들어냅니다. 두 칩의 후면부를 적층함으로써 여러 개의 다이 또는 실리콘 웨이퍼 전체를 연결할 수 있습니다. 이 기술은 기존의 칩 범프를 없애고 두 칩 간의 구리 배선을 직접 접합합니다. 본질적으로 하이브리드 본딩은 거리를 더 짧게 만들어 지연 시간을 줄이고 성능을 향상시키며, 신호 왜곡을 낮추는 등 다양한 이점을 제공합니다.
이 모든 것이 SK하이닉스의 시장 점유율에 영향을 미칠지 여부는 고객사의 요구와 각 고객사의 의견에 달려 있습니다. 예를 들어, 현재 HBM3E와 HBM4가 주를 이루는 HBM 출하량에서 SK하이닉스는 50%의 점유율로 선두 제조사이며, 삼성은 33%를 차지하고 있습니다. SK하이닉스는 이전에 HBM 메모리에 대한 글로벌 지출의 64%를 차지했으나, 삼성이 모멘텀을 얻으면서 현재 50%로 낮아져 소폭 하락세를 겪고 있습니다.