“삼전닉스 추격한다”…CXMT, D램 미세공정 한단계 도약

칩 핵심구조 간격 11.95㎚로 축소

중국 반도체업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 D램 제조의 미세화 수준을 11.95나노미터(㎚)까지 올렸다. 삼성전자와 SK하이닉스 등이 2010년대 후반 양산했던 기술 수준이다.

https://www.hankyung.com/article/202609206464i