4F² D램, 마이크론은 왜 로드맵에서 뺐나 (feat. 밀도는 커패시터가 정한다)

4F² D램은 셀 바닥을 6F²보다 3분의 1 줄이지만, 실제 밀도 향상은 커패시터 간격을 18% 좁힐 수 있는지에 달려 있다.

• 마이크론은 2026년 10월 21일 기술 웨비나에서 4F²를 로드맵에서 제외하고 6F² 연장과 3D D램 준비를 병행한다고 밝혔다.
• CXMT는 10월 10일 4F²를 적용한 서버용 D램을 연내 출시하겠다고 밝혔지만, 사양·출시일·수율은 공개하지 않았다.
• 삼성전자는 2026년 2월 ISSCC에서 10나노급 16기가비트 4F² 시험 칩의 읽기·쓰기 성공을 발표했으며, 초록의 웨이퍼당 칩 수 20% 이상 증가는 본딩 효과와 함께 제시됐다.
• SK하이닉스는 2026년 학회에서 주변회로를 셀 아래에 둔 4F² VG 어레이 동작을 발표했지만, 적용 세대와 일정은 공개하지 않았다.
• 3D D램은 커패시터를 옆으로 눕혀 층을 쌓는 방향으로 연구되고 있으며, 소재 시연은 120쌍 웨이퍼 단계이고 양산 일정은 제시되지 않았다.

시사점: 4F²의 투자 가치는 셀 구조 변화 자체보다 커패시터 간격 축소와 실제 비트 밀도에서 확인될 전망이다. CXMT 제품의 밀도, 마이크론의 2027년 하반기 양산, 웨이퍼 본딩 양산 시점이 주요 확인 지표다.