2026.10.13 | 메르의 블로그
► 핵심
• CXMT가 트랜지스터를 수직으로 세운 4F VSG 구조를 공개하고 연말 서버용 DDR5 출시를 예고했는데, 살 수 없는 EUV 장비로 선을 더 가늘게 그리는 경쟁을 구조 변경으로 비켜간 시도임
• 삼성전자와 SK하이닉스는 4F²와 하이브리드 본딩 상용화를 2028년 이후로 잡고 있어서, CXMT가 연말에 실제로 내놓으면 2년가량 빠른 셈이라는 점이 위협적이라는 주장
└ "중국이 뒤쫓는 게 아니라 일부 영역에서는 먼저 간다"는 서사가 생기는 것이 진짜 문제라고 봄
• 다만 리텐션·수율·속도 수치가 하나도 공개되지 않았고 수직 트랜지스터 누설 문제가 남아 있어서, 시장은 아직 성공 가능성을 낮게 본다는 판단
► 주요 내용
• 2026.10.10 CXMT 차오칸위 총재가 4F VSG(수직 포위 게이트) 구조를 공개하고 2026년 연말까지 적용 제품을 내놓겠다고 밝힘
• 현 업계 표준은 셀 하나가 바둑판 6칸을 쓰는 6F²인데, 4F로 수직화하면 이론상 셀 면적이 3분의 1 줄어 같은 면적에 50% 더 많은 셀을 넣음
• 삼성전자는 2026년 초 ISSCC에서 4F² 셀과 하이브리드 본딩을 결합한 16Gb 시제품을 공개했지만 상용화 일정은 2028년 이후임
• SK하이닉스는 2026년 6월 VLSI 심포지엄에서 4F² VG D램의 전기적 특성을 논문으로 발표한 수준에 머무름
• CXMT는 2023년 IMW에서 8Gb 수직 트랜지스터 어레이를 실리콘으로 구현했다고 발표했고 같은 해 IEDM에도 4F² 논문을 내서, 3년 만에 실체로 올라온 것임
• 업계는 연내 제품이 4F VSG가 부분 적용된 형태일 가능성이 높다고 보며, 하이브리드 본딩 적용 여부는 확인되지 않음
► 개념 정리
• F²: 셀 하나가 차지하는 면적 단위로 F는 공정에서 그릴 수 있는 가장 가는 선의 폭임 — 숫자가 작을수록 같은 면적에 더 많은 셀이 들어가 고밀도 신호
• 하이브리드 본딩: 저장 구역과 주변 회로를 서로 다른 웨이퍼에서 따로 만든 뒤 통째로 붙이는 접착 기술 — 각 영역을 최적 공법으로 만들 수 있어 집적에 유리
• 플로팅 바디 효과: 세운 트랜지스터 내부에 원치 않는 전하가 쌓여 누설이 생기는 현상 — 심하면 리프레시가 잦아져 전력·속도·데이터 안정성이 나빠지는 약점
► 시장 포인트
• 삼성전자·SK하이닉스: CXMT 연말 출시 현실화 → 기술 선행 서사 흔들림 → 심리적 압박 확대
• EUV 규제하 중국: 구조 혁신(수직화)·다중 패터닝으로 우회 → 선 굵기 경쟁 회피 → 추격 속도가 변수로 부상
• 확인: 중국어 원문의 '내놓는다(推出)'가 출시인지 양산인지, 4F VSG 전체·부분 적용 여부, 리텐션·수율·속도 수치 공개 시점
🔗 원문
https://blog.naver.com/ranto28/224439695894