2026.09.22 | 뉴스1 정윤미 기자
핵심
중국 CXMT가 EUV 장비 없이 자체 다중패터닝 기술로 AA 하프피치 11.95㎚급 5세대(G5) D램 양산에 돌입해 웨이퍼당 다이 수를 이전 세대보다 50% 이상 늘렸다. 삼성전자·SK하이닉스의 10㎚급 1c 공정과는 여전히 격차가 있지만, 범용·모바일 D램에서 추격 속도가 빨라지고 있다는 평가다
주요 내용
• CXMT, SAQP 기술로 AA half-pitch 11.95㎚ 구현, DPW 50% 이상 증가
• 24Gb LPDDR5X 2종 양산 돌입, 이달 LPDDR6 양산·상용화도 발표
• 삼성전자는 2월부터, SK하이닉스는 2분기부터 1c 기반 HBM4 양산 출하 중
• 국내 LCD 점유율 2012년 50.7%→2022년 13.5%로 中(30%→55.5%)에 역전된 전례 거론
시장 포인트
삼성전자·SK하이닉스가 HBM 등 고부가 제품에 투자를 집중하는 사이 CXMT가 범용·모바일 D램 생산을 늘리면 공급 구조와 가격 결정력에 영향을 줄 가능성. 중국 내 자국산 채택이 확대되면 현지 시장에서 한국 업체 입지가 좁아질 수 있으나, 실제 수율·원가 경쟁력은 아직 확인되지 않은 변수
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반도체 · 메모리
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삼성전자 · SK하이닉스 · CXMT
🔗 원문
https://v.daum.net/v/20260922071450938
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