2026.09.16 / 공상시보(工商時報)
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1. 핵심 한 줄
① 업계는 2026년 4분기 DRAM 가격이 전분기 대비 약 20%, NAND는 약 30% 오를 것으로 추정
② 원인은 교체 수요가 아니라 AI 인프라 확장이 만든 구조적 수요
③ 신규 증설은 HBM·선단 제품에 집중돼 일반형 DRAM 공급 압박이 지속
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2. 가격 전망
① 업계 관계자들은 4분기 DRAM이 전분기 대비 약 20%, NAND 플래시가 약 30% 오를 것으로 봤다. 판매자 우위 시장 구도에 변화가 없다는 진단이다.
② 대만 업체 중에서는 난야과기, 화방전자 등 DRAM·니치 메모리 업체와 파이슨, ADATA, 트랜센드, 팀그룹 등 컨트롤러·모듈 업체가 가격 상승과 고용량 제품 수요, 재고 평가이익 확대의 수혜 대상으로 꼽혔다.
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3. 수요 구조 변화
① 이번 사이클은 PC·스마트폰 교체 주기가 아니라 AI가 만든 구조적 수요라는 설명이다. 2023~2024년 원청업체의 설비투자·웨이퍼 투입 축소로 생긴 공급 공백이 아직 복원되지 않은 상태에서 AI 인프라가 고속 확장돼 공급이 수요를 따라가기 어려워졌다.
② NAND는 휴대폰·PC 등 소비재 중심에서 AI 데이터센터, 엔터프라이즈 SSD, 고용량 QLC 제품으로 수요축이 빠르게 이동했다.
③ 대형언어모델이 학습에서 추론으로 넘어가면서 KV 캐시, RAG, 대량 중간 연산 데이터가 고속·대용량 저장장치를 요구한다. NAND가 AI 메모리 계층의 핵심 구간으로 편입되는 흐름이다.
④ 소비재 수요가 약해도 원청업체는 제한된 생산능력을 엔터프라이즈 SSD와 AI 스토리지 등 고부가 제품에 배정해, 소비 시장 부진이 전체 수급에 주는 영향을 줄이고 있다.
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4. 공급 전망
① NAND는 키옥시아 K2 공장, 솔리다임 다롄 2공장, YMTC 신규 물량이 순차 가동되지만, 대형 신규 팹의 뚜렷한 기여는 2028년 이후로 제시됐다.
② DRAM은 HBM4, 서버용 DDR5, RDIMM, SOCAMM, LPDDR이 선단 웨이퍼 생산능력을 계속 흡수해 일반형 DRAM 생산능력이 압축되고 있다.
③ 삼성전자 P4, SK하이닉스 M15X가 근래 가장 명확한 증설원이지만 물량이 HBM·선단 DRAM 위주여서 일반형 DRAM 공급 보강 효과는 제한적이다.
④ 마이크론 아이다호 신공장, SK하이닉스 용인 Y1, 마이크론 대만 퉁뤄 공장, 난야과기 5A 신공장은 대부분 2027년 이후부터 점진적으로 기여한다.
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5. 한 줄 요약
증설은 진행되지만 물량이 HBM과 선단 제품으로 쏠려 일반형 메모리 부족이 남는 구조이며, 가격 상승 국면의 수혜 범위가 원청업체를 넘어 모듈·컨트롤러까지 넓어지는 흐름이다.
https://www.ctee.com.tw/news/20260916700479-430501
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