2026.09.11 / 리버티코리아포스트 홍윤기 기자
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1. 핵심 한 줄
① 삼성전자가 기존 HBM 시리즈의 발열 문제를 zHBM에서 개선했다는 내용의 KB증권 보고서가 11일 발표됐다.
② KB증권 김동원 연구원은 삼성전자 파운드리 수율로 4나노 80% 이상, 2나노 70% 이상을 제시했다.
③ 평택 캠퍼스 가동률이 손익분기점인 80% 선을 회복한 것으로 알려지며 파운드리 사업부의 흑자전환 가능성이 거론된다.
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2. zHBM이란 무엇인가
① zHBM은 차세대 패키징 구조를 적용한 3차원 수직 적층 AI 메모리 플랫폼이다.
② 기존 HBM 제품군이 GPU와 AI 가속기 옆에 평면으로 배치되는 2.5D 인터포저 구조라면, zHBM은 가속기 바로 위 수직 축으로 얹어지는 3D 아키텍처다. 이름에 z가 붙은 이유다.
③ 표준 로드맵인 HBM5와 HBM6 개발이 병행되는 가운데, 평면 배치의 물리적 한계를 극복하기 위한 3D 적층 라인업으로 구체화됐다.
④ KB증권은 삼성전자의 HBM4 매출이 2분기 대비 3분기에 3배 이상 증가할 것으로 예상하면서, HBM5 아키텍처 보유와 zHBM 로드맵 확보를 긍정적으로 평가했다.
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3. 발열과 대역폭 개선 내용
① 기존 평면 구조에서는 가속기와 메모리 간 긴 연결 선로 때문에 데이터 전송 중 전력 손실과 발열이 발생했다.
② zHBM은 수직으로 직접 적층해 물리적 데이터 이동 거리를 크게 줄였다.
③ 여기에 TSV 저전압 설계와 전력 분배 네트워크 최적화를 적용해 열 저항을 기존 대비 절반 이상 낮춘 것으로 알려졌다.
④ 이에 따라 차세대 HBM5 대비 GPU 1개당 성능을 최대 8배, 전력 대비 성능 효율을 최대 3배까지 끌어올린 것으로 전해졌다.
⑤ 김동원 연구원은 "발열 문제가 개선되고 대역폭이 늘어난 zHBM은 삼성전자의 전략적 성장 기회를 한층 더 확대시키는 요인"이라고 평가했다.
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4. 파운드리 수율과 가동률
① 업계에서는 TSMC가 글로벌 파운드리 시장의 60% 이상을 점유하며 4나노와 3나노 수율을 70~80%대로 유지하는 것으로 추정한다.
② 김 연구원은 "삼성전자의 4나노 생산 수율이 80% 이상으로 안정화되고, 2나노 GAA 수율도 연초 50% 미만에서 70% 이상으로 빠르게 개선되고 있어 사실상 TSMC와 경쟁 가능한 수준에 근접했다"고 평가했다.
③ 개선 배경으로는 GAA 공정 숙성도 향상, 4나노 공정 안정화, 메모리와 파운드리 간 시너지가 꼽힌다. HBM4부터 탑재되는 베이스 다이를 삼성 파운드리 4나노와 2나노 공정으로 자체 생산하면서 대규모 물량 투입으로 결함을 잡았다는 분석이다.
④ 2024~2025년 50% 선을 밑돌며 대규모 적자를 기록했던 평택 P2·P3 파운드리 가동률은 2026년 들어 손익분기점인 80%를 돌파한 것으로 알려졌다.
⑤ 김 연구원은 "삼성전자는 메모리 단품 공급을 넘어 HBM, 파운드리, 패키징을 아우르는 턴키 솔루션 공급 역량을 확보한 세계 유일한 기업"이라며 "고객 맞춤형 커스텀 HBM 시장이 열리면서 파운드리 흑자 전환과 함께 시장 주도권이 강화될 것"이라고 내다봤다.
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5. 확인이 필요한 부분
① 기사에 인용된 수율은 삼성전자가 공식 발표한 수치가 아니다. KB증권 김동원 연구원이 업계 공급망 조사와 자체 분석을 바탕으로 제시한 추정치다.
② zHBM의 성능 개선 수치와 평택 가동률 회복도 회사 공식 자료가 아니라 보고서와 업계 전언에 기반한 내용이다.
③ 원문 하단에는 해당 기사가 AI를 일부 활용해 작성됐다는 표기가 붙어 있다.
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6. 한 줄 요약
리버티코리아포스트는 KB증권 보고서를 인용해 삼성전자가 3D 수직 적층 구조의 zHBM으로 기존 HBM의 발열 문제를 개선했으며 파운드리 수율도 TSMC 추격권에 진입했다고 보도했다. HBM4 베이스 다이를 자체 파운드리로 생산하며 선단 공정 결함을 잡은 것이 수율 개선의 배경으로 제시됐다. 다만 수율과 성능 수치는 모두 회사 공식 발표가 아닌 증권사 추정치라는 점을 함께 볼 필요가 있다.
http://www.lkp.news/news/articleView.html?idxno=83955
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