ZDNet Korea / 2026.09.01
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1. 핵심 한 줄
① 삼성전자가 '세미콘 타이완 2026'에서 3D 적층 메모리 기술 로드맵 'CUBE' 전략을 공개하며 차세대 메모리 시장 선점에 나섰다.
② 차세대 HBM5는 성능 2배·와트당 성능 20% 향상, 열 저항 20% 감소를 목표로 제시했다.
③ 초고성능 zHBM은 성능 8배·와트당 성능 3배 향상, 열 저항 75~90% 감소를 겨냥한다.
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2. 상세 내용
① CUBE 전략은 Capacity(용량)·Utilization(최적화)·Bandwidth(대역폭)·Efficiency(전력·열 효율) 4대 축으로 구성된다.
② 최장석 상무는 "더 이상 PCB 면적에 제한되지 않고, 보드 면적을 키우지 않고도 수직으로 확장해 메모리 용량을 늘리겠다"고 밝혔다.
③ 신규 스토리지 zNAND-O는 D램 대비 10배 높은 비트 밀도, 낸드 대비 7배 높은 읽기 대역폭을 갖추며 2028년 샘플링을 계획하고 있다.
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3. 배경·맥락
① AI·데이터센터 수요 확대로 메모리 용량·대역폭·전력효율 요구가 커지며, 평면 확장의 한계를 넘어서는 수직 적층(3D) 기술 경쟁이 본격화되고 있다.
② 삼성전자는 HBM 주도권 회복 과제를 안고 있어, 차세대 로드맵 공개로 기술 리더십을 부각하려는 것으로 해석 가능.
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4. 시장 시사점
① 반도체·메모리 섹터: 삼성전자의 차세대 HBM/스토리지 로드맵 구체화는 HBM 경쟁 구도 및 밸류체인 기대감에 영향을 줄 수 있음.
② HBM·후공정 소부장(적층·본딩·열관리) 관련주에 중장기 수혜 기대로 해석 가능.
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5. 한 줄 요약
삼성전자가 CUBE 전략으로 HBM5·zHBM·zNAND-O 등 수직 적층 기반 차세대 메모리 로드맵을 공개하며 AI 메모리 시장 선점 의지를 드러냈다.
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https://zdnet.co.kr/view/?no=20260901100209
