전자신문 / 2026.08.24
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1. 핵심 한 줄
① 삼성전자와 SK하이닉스가 스탠퍼드대 '핫칩스 2026'에서 차세대 HBM 병목 해소를 위한 상이한 기술 전략을 공개
② 삼성은 베이스 다이를 연산 논리칩으로 바꾸는 '베이스 다이 능동화', 최종 zHBM 단계에서 인터포저 제거·수직 적층 제시
③ SK하이닉스는 16단 이상 적층용 고급 패키징에 집중, 열저항 35% 저감 성과 발표
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2. 상세 내용
① 삼성전자(한상욱 연구원)는 3단계 진화 방안을 제시하며, 최종 단계 zHBM에서 인터포저를 없애고 연산칩과 D램 스택을 수직 적층하는 방식을 제안
② SK하이닉스(이재식 연구원)는 패키지 높이 775㎛, 칩 두께 0.9배·갭 높이 0.5배로 개선해 열저항 35% 저감 달성
③ SK하이닉스의 HBM4 목표는 열저항 14% 이상, 전력 효율 40% 이상 개선
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3. 배경·맥락
① HBM은 층수를 높일수록 발열·전력·신호 병목이 심화돼 차세대 제품의 핵심 난제로 부상
② AI 가속기 수요 급증으로 HBM 대역폭·집적도 경쟁이 격화되며, 양사가 서로 다른 구조 혁신으로 차별화를 시도
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4. 시장 시사점
① HBM(고대역폭메모리) 섹터의 기술 로드맵 경쟁이 부각 — 삼성전자·SK하이닉스 모두 차세대 아키텍처 주도권 확보에 무게
② 인터포저 제거·베이스 다이 능동화가 현실화될 경우 후공정·패키징 밸류체인 재편으로 이어질 수 있음으로 해석 가능
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5. 한 줄 요약
삼성은 '수직 적층·인터포저 제거', SK는 '패키징 열관리'로 차세대 HBM 병목 해법을 갈랐으며, AI 메모리 경쟁의 기술 방향성이 갈리는 분기점으로 평가된다.
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https://www.etnews.com/20260824000178