이 자금은 실리콘 칩(SiC) 소재 및 광대역 갭 전력 소자의 국내 개발 및 생산을 지원하고, 특히 미국의 국가 안보 관련 기기 개발에 중점을 둘 예정입니다.
매우 흥미로운 점은, 이 15억 달러 규모의 자금이 미국의 국방 및 경제 산업 기반에 필수적인 광대역 갭 공급망 국내 구축을 지원하는 것 외에도, 국방부의 주요 사업들을 추진하는 데 사용될 것이라는 사실입니다.
구체적으로, 울프스피드는 이 자금을 차세대 통신 인프라 및 전자전 시스템을 위한 질화갈륨(GaN) 에피택시 기술 업그레이드와 기존 SiC 및 향후 GaN 제품의 방사선 내성 기술 개발에 제한 없이 사용할 계획입니다.