삼성전자는 HBM5의 성능을 HBM4E(7세대) 대비 두 배로 끌어올리고, 열 저항은 기존 HBM의 75~90％ 수준으로 낮출 방침이다.
zHBM은 HBM5보다 여덟 배 높은 성능을 구현하는 게 목표다. zHBM은 HBM을 그래픽처리장치(GPU), 신경망처리장치(NPU) 등 연산용 칩 위에 수직으로 쌓은 반도체다. 기존 HBM보다 성능과 전력 효율을 대폭 높일 수 있는 기술로 알려져 있다.
삼성전자는 2028년 차세대 낸드플래시 zNAND-O의 첫 시제품 테스트를 하겠다는 구상도 내놨다.
https://www.hankyung.com/article/2026090173991