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CTRINE
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한국반도체산업협회에 따르면, 메모리 반도체 분야에서 한국과 중국 간의 기술 격차는 HBM 3년, D램 2년, 낸드플래시 1년 수준으로 좁혀졌습니다.

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2026.09.17 16:30
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한때 5년 이상으로 추정되던 격차가 이제는 기술 세대 기준으로 한 세대 이하 수준까지 좁혀진 것입니다.

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