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CXMT 낮은 수율로 HBM 생산 계획 (웨이퍼 소모 범용 DRAM 대비 8-10배)

发布时间
2026.10.28 17:04
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✍️팩트 및 요약
https://www.reuters.com/world/china/chinas-cxmt-start-advanced-ai-memory-production-despite-poor-yields-sources-say-2026-10-28/

  • 소식통에 따르면 CXMT는 수율이 20~30%(SK하이닉스 약 70%)에 그치는데도 향후 2개월 내 HBM3E 제한 생산을 시작할 계획이며, 이미 중국 AI 칩 설계사 여러 곳에 샘플을 보냈음
  • 2024년 12월 미국의 HBM 수출 통제로 중국 AI 칩 업체들이 메모리를 충분히 구하지 못해 비공식 경로로 몇 배 가격에 조달하는 상황이며, 화웨이·캠브리콘 등은 메모리 비용 탓에 AI 칩 가격을 20~50% 올렸음
  • 테스트상 CXMT의 HBM3E 성능은 SK하이닉스의 HBM3E보다 전 세대인 HBM3에 가깝고 해외 제품보다 비쌀 전망이며, 삼성이 이미 HBM4E 샘플을 출하한 만큼 상용 HBM에서 최소 한 세대 뒤처져 있음(2분기 HBM 매출 점유율은 SK하이닉스 50%, 삼성 33%, 마이크론 18%, CXMT는 D램 매출 점유율 10%로 4위)
  • 삼성 하이닉스 마이크론 선두 업체 수율 기준, HBM 은 범용 DRAM 대비 3-4배 웨이퍼를 소모한다고 알려져있음.
  • 중국 업체의 낮은 수율을 고려하면 CXMT 의 HBM 은 범용 DRAM 대비 웨이퍼 8-10배 소모.

💡 의견

  • 하이닉스가 29년까지 HBM, DRAM 물량 완판이라고 했고 예상보다 높은 가이던스로 실적 추정치가 상향되고 있음
  • 범용 DRAM 가격과 삼전 닉스 추정치는 당분간 올라갈듯.
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